低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器

一、成果简介

本发明为解决等离子体合成射流激励器在低雷诺数条件下应用的难题，提供了一种低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器及其控制方法。一种低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器，包括激励器放电腔4、激励器缓冲腔2、阴极放电电极6、阳极放电电极5和耐热硅胶，激励器放电腔4放置于激励器缓冲腔2内；激励器放电腔4为空心圆柱体，激励器缓冲腔2为空心圆柱或者其他几何腔体结构，激励器放电腔4与激励器缓冲腔2的间隔板上设有四个环形阵列分布的高速射流孔3，激励器缓冲腔2上壁设有三个环形阵列分布的低速射流孔1或者其他形状开口。

二、预期经济效益

本发明可应用范围大，发明项目保留了等离子体合成射流激励器控制频率高的优点，将传统等离子体合成射流激励器速度高特点进行了改进，使其速度降低60%以上，可适用于低雷诺数条件，根据具体应用条件可以改变电参数及几何参数调节速度，使得其可应用范围大大增加。

三、联系方式

有合作意向的企业请联络北林区工业信息科技局，电话：0455-8106381、0455-8106380。